IT之家 1 月 22 日音讯，音讯源 DigiTimes 今日（1 月 22 日）发布博文，报导称三星电子否定了关于从头规划其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报导。
IT之家昨日征引 ETNews 报导，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面对的良率和功能两层困局，已在 2024 年末决议在改善现有 1b nm 工艺的一起从头规划新版 1b nm DRAM。
商场调查的人表明，三星修正 1b DRAM 规划的决议源于竞赛压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中选用 1b DRAM，而三星仍在运用之前的 1a DRAM。
此外，据报导，三星启动了名为“D1b-p”的开发项目，旨在进步其 DRAM 事务的竞赛力，“p”代表“prime”，标志着杰出的质量，该项目侧重重视进步电源功率和散热功能。
虽然三星是全球 DRAM 范畴的领导者，但现在正面对来自 SK 海力士和美光的应战。这两家公司都已成功商业化 1b DRAM，SK 海力士甚至在 2024 年 8 月首先完结了 1c DRAM 的开发。
有音讯称，三星 Galaxy S25 系列智能手机行将发布，美光将成为其主要的移动 DRAM (LPDDR5) 供货商。这被认为是因为三星没有彻底处理 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。
三星经过该媒体予以否定，称有关报导不精确。此次事情引发了业界广泛重视，凸显了存储芯片商场之间的竞赛的剧烈程度。
虽然三星否定了从头规划的报导，但业内人士泄漏，三星的方针是进步 1b DRAM 的功能和良率。据称，从头规划触及工艺调整，本钱昂扬且杂乱，三星已紧迫订货设备，计划在 2024 年末前完结装置和测验，更新后的 1b DRAM 估计将于 2025 年第二或第三季度量产。
